サムスンとSKハイニックスが、半導体クラスター新設に向けて数十兆ウォン規模の投資を計画。

BlockBeats ニュース、6月24日、サムスン電子とSKハイニックスは、光州・全羅南道を含む湖南地域および忠清地域の半導体クラスターへの投資拡大を検討しており、投資規模は数百兆ウォンに達する見込みである。

財界筋によると、23日、サムスン電子とSKハイニックスは、今月末に青瓦台で開催される、大統領イ・ジェミョン主宰の「国土空間転換（均衡国家発展）」官民合同会議で、上記内容を含む大規模な地域投資計画を発表するため、具体的な詳細を調整している。

両社は、湖南および忠清に建設予定の半導体クラスターにおいて、メモリ半導体生産工場（前工程）とパッケージング工場（後工程）を同時に建設する案を検討しているとされる。

当初、業界ではサムスン電子とSKハイニックスが後工程に重点を置くと予想されていたが、前工程の建設も議論に含まれたことで、投資規模がさらに拡大する可能性があるとの分析が出ている。

半導体ウェハー工場（ファブ）1基の建設費が少なくとも60兆ウォンに上ることを考慮すると、サムスン電子とSKハイニックスの総投資規模は300兆～400兆ウォンに達する可能性があるとの見方もある。

具体的な投資案と計画を議論するため、大統領は25日にサムスン電子会長イ・ジェヨンと会談する予定である。大統領はすでに19日にSKグループ会長チェ・テウォンと会談したとされる。