SKハイニックス、龍仁半導体クラスターの建設を加速、Y1ウェハー工場の設備調達を開始

BlockBeats ニュース、7月14日、韓国メディアZDNETの報道によると、SKハイニックスは龍仁（ヨンイン）半導体クラスターの第1工場Y1の第1段階クリーンルーム向けに設備の調達を開始した。初期計画では、月産2万枚の1c DRAM生産能力を新たに追加する予定である。

Y1は当初、2027年5月に第1段階クリーンルームを稼働開始する予定だったが、現在は2027年2月に前倒しされている。同社はその時期に試験生産ラインの建設を開始し、3月から4月にかけて正式な設備設置を行い、月産2万枚の生産能力を拡大する計画である。

この生産ラインは主に第6世代10ナノメートル級の1c DRAMを生産し、AI関連の高付加価値DDRやLPDDR製品に使用可能であり、2027年までに商業化が予定されているHBM4Eにも応用される計画である。設備導入を加速するため、SKハイニックスは通常年末に行われる設備価格契約交渉を第3四半期初めに前倒しした。

SKハイニックスは龍仁半導体クラスター全体の建設進捗も同時に加速している。このプロジェクトの総投資額は約600兆ウォンで、4つの工場から構成されており、第4工場の完成目標は2045年から2033年に前倒しされた。Y1の第2段階および第3段階クリーンルームは、今年下半期に建設を開始する予定である。