SKハイニックス、3D積層DRAMの研究開発を開始、エッジAI向け新ストレージ技術を展開

BlockBeats ニュース、7月24日、SKハイニックスは、エッジAI向けの次世代DRAM技術とされる3D積層DRAMの開発を加速している。同社は最近、人材採用計画を開始し、米国の顧客と協力して関連技術を共同設計する計画であることが明らかになった。

3D積層DRAM設計は、ストレージチップをロジック半導体（システム半導体）の上に直接積層する次世代半導体技術である。業界では、生成AI後の物理AI時代において、この技術がエッジAIデバイスの中核的な半導体ソリューションになると予想されている。

SKハイニックスは最近、米国サンノゼにある米州法人を通じて3D積層DRAM設計エンジニアを採用し、関連技術の研究開発を推進している。

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