ロイター通信：サムスンとSKハイニックス、YMTCとの競争に対応するため中国工場をアップグレード

BlockBeatsのニュース、10月21日、ロイター通信の報道によると、サムスン電子とSKハイニックスは中国工場をアップグレードし、より多くの層を持つNANDフラッシュチップを生産する計画で、中国の競合である長江存儲の急速な発展に対応し、AI分野で増大するストレージ需要を満たすことを目指している。両社はロイターに対し、関連するアップグレードを進めていることを確認し、米国側と密接に連絡を取っていると述べたが、具体的な生産計画は明らかにしなかった。

サムスンは中国西安にある工場を、286層のV9 NANDフラッシュチップを生産するためにアップグレードする計画だ。この工場は現在主に約200層のチップを生産しており、サムスンの世界のNAND生産量の約40％を占めている。関係者によると、サムスン内部ではこのプロジェクトを「Monami」と呼んでおり、2026年12月に月産5000枚のウェハーを達成し、2027年12月には月産4万枚に引き上げることを目標としている。

サムスンは、今回のアップグレードは米国の顧客を含む世界中の顧客の需要を満たすことを目的としており、生産能力の拡大や新たな製造施設の建設には関与しないと述べた。SKハイニックスは、中国大連にある工場を240層以上のNAND製品を生産するためにアップグレードする計画で、現在この工場では約192層の製品を生産している。関係者によると、同社は大連で最大240層のチップを生産する許可を得ており、さらに米国政府に現地での300層以上のチップの研究開発を申請し、将来米国で関連製品を生産するための基盤を築く可能性がある。

SKハイニックスはまた、トランプ政権と米国に新たなNAND工場を建設する計画について協議している。報道によると、米国は2022年から一部のチップ製造装置の輸出規制を実施しており、サムスンとSKハイニックスが中国工場に米国製装置を設置するには、毎年許可を申請する必要がある。米国商務省産業安全保障局（BIS）は以前、両社が既存の中国工場を運営し続けることを許可する計画だが、生産能力の拡大や技術アップグレードの申請を承認する意向はないと述べていた。ロイターは、両社が今回のアップグレードに必要な装置の輸出許可をどの程度取得したかを確認できていない。

一方、長江存儲の中国NAND市場におけるシェアは上昇を続けている。調査機関Omdiaのデータによると、長江存儲の2026年第2四半期の中国NAND市場シェアは38.5％に達し、2025年通年の28％を上回り、サムスンを超えた。同期間中、サムスンの市場シェアは36％から33.5％に低下し、SKハイニックスは20％から17％に低下した。長江存儲は現在主に160層と232層の製品を生産しており、294層のチップも少量生産しており、300層以上の製品を投入する計画だ。現在、サムスンは中国以外の市場で最大286層のNANDチップを販売しており、今年8月には400層を超える試作品を公開した。SKハイニックスは最大321層のNANDチップを販売している。